ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―（第1７回）

応用物理学会　薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会

「ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―」（第１7回研究会）
(旧 「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会)

協賛：日本物理学会， 　日本化学会，日本金属学会，日本表面科学会，電子情報通信学会，電気学会，触媒学会，日本真空協会，電気化学会，表面技術協会，日本顕微鏡学会，日本セラミックス協会，精密工学会
（依頼中）

半導体デバイスにおいて、ゲートスタックの高性能化は最も重要な研究課題の一つです。ゲート絶縁膜では、原子層レベルで膜厚や構造を制御した高品質な極薄酸窒化膜の開発や、トランジスタの高性能化と超低消費電力化を可能にする高誘電率ゲート絶縁膜の研究・開発が進められています。また歪シリコン基板やプロセス歪を利用した高移動度トランジスタや、メタルゲート電極の検討も活発に行なわれています。本研究会は、2004年まで9回にわたって開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性」研究会のスコープを広げて2005年から新たにスタートしたものであり、産･官･学の第一線の研究者が基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し、本分野の発展に貢献することを目的としています。国内外からの招待講演者のほかに、一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。さらに研究会前日にはショートコースを企画しています。奮ってご参加下さい。