1. H.Fukui, M.Fujishima, K.Hoh Single-Electron Transistor in Silicon-on-Insulator with Schottky-Contact Tunnel Barriers Jpn. J. Appl. Phys., vol.36, no.6B, pp.4147-4150、Jun 1997
  2. S.Amakawa, M.Fujishima, K.Hoh Correlated Electron-Hole Transport in Capacitively-Coupled One-Dimensional Tunnel Junction Arrays Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36, no.6B, pp.4166-4171, Jun 1997
  3. M.Fujishima, H.Fukui, S.Amakawa, K.Hoh Proposal of a Schottky-Barrier SET Aiming at a Future Integrated Device IEICE Trans. Electron., vol.E80-C, no.7, pp881-885, July 1997

International Conferences

  1. H.Majima, S.Amakawa, M.Fujishima, K.Hoh High-Speed Simulation of SET-CMOS Mixed Circuits Silicon Nano-electronics Workshop 1997, pp.40-41,Jun 1997
  2. M.Fujishima, M.Ishii, K.Hoh Gain-Determined short-channel limit of MOSFETs Extended Abstracts of the 1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials, pp.308-309, Sep 1997
  3. S.Amakawa, H.Majima, M.Fujishima, K.Hoh High and Low Levels of Simulation of Single-Electron Circuits Proc.1997 Int. Semiconductor Device Research Symp., pp.349-352, Dec 1997

Domestic Workshops

  1. 入田、辻田、藤島、鳳 バイポーラ素子で生成されるカオスのメカニズムとその応用 信学技報電子デバイス研究会、1997年1月 電子情報通学会技術研究報告、電子デバイス研究会、ED-96-211、1997
  2. 入田、藤島、鳳 直列実行機構を有するCPUの演算時間の評価 電子情報通信学会春季大会、pp.SA-2-5、1997. 3
  3. 藤島、鳳 MOSFETの微細化についての一考察 平成9年春季第44回応用物理学関係連合講演会、29p-H-12、p.749、1997.3、千葉
  4. 間島、天川、藤島、鳳 単電子回路解析における確立分布の視覚化 平成9年春季第44回応用物理学関係連合講演会、30p-SZQ-9、p.90、1997.3、千葉
  5. 杜、藤島、鳳 Al-Cu/TiN/Ti/Si コンタクトの高密度電流による劣化モードの観測 第44回応用物理学会関係連合講演会予稿集、p.755、1997.3、千葉
  6. 入田隆宏、小倉誉之、藤島実、鳳紘一郎 冗長2進演算を利用したマイクロプロセッサ 1997信学会基礎・境界ソ大、p.63、1997年9月
  7. 辻田達雄、入田隆宏、藤島実、鳳紘一郎 BiCMOS カオスマルチバイブレータ 1997信学会基礎境界ソ大、p.51、1997年9月
  8. 大内真一、藤島実、鳳紘一郎 直接トンネリングを利用した単電子メモリの動作条件 第58回秋季応物予稿集、p.153、1997年10月
  9. 天川修平、間島秀明、藤島実、鳳紘一郎 SPICEによる単電子回路の解析 第58回秋季応物予稿集、p.153、1997年10月
  10. 福岡哲也、滋賀秀裕、リーチュンクイ、藤島実、鳳紘一郎 ノンドープ低障壁ショットキーSOI MOSFETの検討 第58回秋季応物予稿集、p.742(2p-G-5)、1997年10月